به گزارش روابط عمومی پژوهشگاه ارتباطات و فناوری اطلاعات (مرکز تحقیقات مخابرات ایران) در این سمینار به مروری بر تکنولوژی ساخت مدارات CMOS و محدودیت‌‌های توان در این ادوات پرداخته شد. در ادامه تکنیک‌‌های بکارگرفته شده در این مدارات برای رسیدن به توان‌‌های بالای 1 وات و روش‌‌های ترکیب توان مداری معرفی گردیدند. در نهایت چند مدار تقویت کننده توان در باند 60 گیگاهرتز بر اساس تکنولوژی CMOS معرفی شدند.