سامسونگ الکترونیکس از توسعه یک سیستم محاسباتی درون حافظه ای خبر داده است که حافظه و نیمه هادی های سیستم را ترکیب می کند.

به گفته بزرگترین سازنده تراشه های حافظه جهان، برای اولین بار، حافظه های غیرفرار، که "حافظه دسترسی تصادفی مقاومتی مغناطیسی" نامیده می شوند، برای فعال کردن این فناوری جدید استفاده می شوند. سامسونگ از توسعه فناوری محاسبات درون حافظه ای خبر داده است که حافظه و نیمه هادی های سیستم را ترکیب می کند. به گفته سامسونگ، برای اولین بار در جهان، حافظه‌های غیرفرار که «حافظه دسترسی تصادفی مقاومتی مغناطیسی» نامیده می‌شوند، فناوری جدید را فعال می‌کنند.

داده ها در تراشه های حافظه ذخیره می شوند و توسط تراشه های پردازنده جداگانه در یک معماری رایانه سنتی محاسبه می شوند. از سوی دیگر، محاسبات درون حافظه می‌تواند هم زمان ذخیره داده و هم محاسبات را در یک شبکه حافظه انجام دهد. در نتیجه، سامسونگ ادعا می کند که محاسبات درون حافظه به طور قابل توجهی انرژی کمتری مصرف می کند زیرا داده ها نیازی به جابجایی ندارند، این ویژگی می تواند در تراشه های هوش مصنوعی نسل بعدی مفید باشد.

به گفته سامسونگ، بسیاری تلاش کرده‌اند به محاسبات درون حافظه بر اساس MRAM به دلیل مزایای آن، که شامل سرعت عملیات سریع، استقامت و تولید در مقیاس بزرگ می‌شود، دست یابند، اما این فناوری از آنها دور مانده است. به گفته این شرکت، تراشه محاسباتی درون حافظه MRAM ارقام دست نویس را با دقت 98 درصد طبقه بندی می کند و چهره ها را از صحنه ها با دقت 93 درصد تشخیص می دهد.

به گفته کارشناسان، محاسبات درون حافظه یکی از آینده نگرانه ترین مفاهیم صنعت نیمه هادی است.

223001026.392