طراحی حافظه‌‌های جدید فلاش 256 گیگابیتی از نوع NAND توسط سامسونگ آغاز شده است. این حافظه‌ها دارای 48 لایه سه بیتی در سطوح مختلف هستند.

به گزارش فارس به نقل از تک رادار،‌ با افزایش چگالی این حافظه‌ها می‌توان ظرفیتشان را در آینده بیشتر کرد. علاوه بر سامسونگ، توشیبا، سن دیسک، اینتل و میکرون هم در تلاش برای طراحی حافظه‌‌های جدید NAND هستند و همگی قصد دارند این حافظه‌ها را با قیمت‌‌های رقابتی عرضه نمایند.

سامسونگ چندی قبل تراشه‌‌های دو ترابایتی را برای گوشی‌‌های هوشمند روانه بازار کرد و امیدوار است فناوری جدید ساخت این تراشه‌ها را با هزینه کمتر و ابعاد مناسب ممکن کند.

این تراشه‌ها از خانواده 3D NAND و موسوم به 3D V-NAND هستند و داده‌ها در آنها به طور عمودی و به جای 32 لایه در 48 لایه ذخیره می‌شوند. لایه‌‌های حافظه‌‌های مذکور از طریق 1.8 میلیارد حفره ارتباطی با یکدیگر در ارتباطند و در نهایت 85.3 میلیارد سلول وظیفه ذخیره سازی 256 میلیارد بیت اطلاعات را بر عهده دارند. به بیان دیگر 256 گیگابیت داده بر روی تراشه ای به اندازه سر انگشت ذخیره می‌شوند.

استفاده از این فرایند 48 لایه موجب کاهش 30 درصدی مصرف برق در مقایسه با تراشه‌‌های 32 لایه ای می‌شود. همچنین بهره وری این تراشه‌ها 40 درصد بیشتر است.